Aparèy chofaj SiC pèfòmans segondè pou chofaj endistriyèl tanperati ki wo

Aparèy chofaj SiC nou yo fonksyone kontinyèlman nan600°C rive 1450°C(pik jiska1600°C), ki depase limit 1200°C pifò alyaj metal yo. Avèk ekselan konduktivite tèmik, yo chofe vit epi distribye chalè a respire, elimine pwen cho yo epi asire yon kontwòl tanperati presi—ki enpòtan pou yon kalite pwodwi ki konsistan. Kontrèman ak eleman metal ki defòme anba chalè ekstrèm, SiC kenbe yon rijidite estriktirèl, reziste kont fluaj ak chòk tèmik pou yon operasyon ki estab alontèm.

Rezistans oksidasyon ak korozyon defini aparèy chofaj SiC nou yo. Yo reziste atmosfè asid, alkalin ak reyaktif, ak yon vitès vyeyisman ralanti ki pwolonje lavi sèvis.3-5 fwa pi longpase aparèy chofaj metal yo. Sa diminye ranplasman souvan, diminye tan pann sanzatann, epi redwi depans antretyen jiska50%Konsepsyon espesyal ki gen rezistans ba nan bout frèt la anpeche tèminal la chofe twòp, sa ki amelyore sekirite ak efikasite plis toujou.

Kòm aparèy chofaj ki pa metalik ki ekonomize enèji, yo konvèti prèske100% elektrisite an chalè, minimize gaspiyaj epi diminye depans fonksyònman yo. Ideyal pou sinterizasyon seramik, fizyon vè, tretman chalè metal, ak chofaj founo endistriyèl, aparèy chofaj SiC nou yo vini nan divès fòm—GD, CD, tip U, ak desen pèsonalize—pou anfòm ak divès modèl founo.